酸素ビームを照射することで膜質が向上したZnO薄膜を持つ全透明アナログメモリスタ素子を試作した結果、未照射の素子と比較して繰り返しスイッチング回数が20倍に増加し、動作電流が10分の1に低減しました。また、この素子を用いてシナプス動作を再現し、その結果を用いて画像認識における精度向上に関する知見を得ました。

空間反転対称性の破れを用いることで、金属酸化物絶縁体を用いたスピン軌道トルク生成と 磁化制御を実現しました。さらに、金属酸化物中の酸素を電場により移動させることで、 強磁性金属/金属酸化物界面におけるスピン軌道トルクの不揮発な電気的制御に成功しました。

金属酸化の手法を用いて作製した数ナノメートルという非常に薄いタンタル酸化膜をもつ抵抗変化型メモリにおいて、スイッチング動作を実証しました。スイッチング時には、0.2Vという低い動作電圧とマルチレベル・スイッチング動作を得ました。

トランジスタや回路設計などを用いることなく材料自身がが電気信号の入力頻度 を判断してシナプス応答するデバイス動作の実現に成功しました。また、忘却曲線や記憶のマルチ貯蔵モデルといった心理学モデルの再現にも成功しました。